品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

Current - Supply (Nom)

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

访问时间

内存格式

内存接口

组织结构

输出特性

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

组织的记忆

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V547S100PFI
71V547S100PFI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

100-LQFP

100-TQFP (14x14)

Bulk

71V547

活跃

IDT, Integrated Device Technology Inc

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

-

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

3.135V ~ 3.465V

4.5Mbit

10 ns

SRAM

Parallel

-

128K x 36

IDT70V05L25PF
IDT70V05L25PF
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IDT71V416L12PHGI
IDT71V416L12PHGI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IDT7130SA100P
IDT7130SA100P
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-8700218TA
5962-8700218TA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7007S25PFI
7007S25PFI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

80-LQFP

80-TQFP (14x14)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tray

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

256Kb (32K x 8)

25ns

SRAM

Parallel

25ns

71V67603S150PFG8
71V67603S150PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

150MHz

305mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

150MHz

305mA

Parallel

1.1MB

1

3.8 ns

18b

9 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

1.4mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71321SA20TF
71321SA20TF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

RAM, SDR, SRAM

250mA

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9269L15PRF
70V9269L15PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

RAM, SDR, SRAM

185mA

Bulk

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

0.5mm

28.5MHz

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

15 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

16b

3V

3.6V

3V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V321L55PF
71V321L55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

RAM, SDR, SRAM

85mA

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

55 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9269L15PRF8
70V9269L15PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

RAM, SDR, SRAM

185mA

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

28.5MHz

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

15 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7034L15PF8
7034L15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

260mA

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

15 ns

4KX18

3-STATE

24b

72 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

18b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7140LA20J
7140LA20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

2.96261g

200mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

110mA

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

20 ns

1KX8

3-STATE

10b

8 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

3.63mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7140SA35PF
7140SA35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

RAM, SDR, SRAM

165mA

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

35 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.03A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3399S133BCI8
70V3399S133BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

256

RAM, SRAM

480mA

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65703S80BQG
71V65703S80BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

165

RAM, SRAM

250mA

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

95MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

8 ns

256KX36

18b

9 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

70V38L15PFG8
70V38L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

2

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.003A

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

709289L7PF
709289L7PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

465mA

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

45.45MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

7 ns

64KX16

3-STATE

32b

1 Mb

0.003A

COMMON

Synchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V05S55PF8
70V05S55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

RAM, SDR, SRAM

180mA

2006

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

55 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3569S5DR
70V3569S5DR
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

RAM, SDR, SRAM

360mA

Bulk

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

100MHz

COMMERCIAL

Parallel

72kB

2

10 ns

16KX36

3-STATE

28b

576 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

28mm

28mm

3.5mm

符合RoHS标准

含铅

70V7519S166BF8
70V7519S166BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

RAM, SDR, SRAM

790mA

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

166MHz

790mA

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

20 ns

3-STATE

18b

9 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.4mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75902S75BG8
71T75902S75BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

RAM, SRAM

275mA

Tape & Reel

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1

7.5 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V7519S166DR
70V7519S166DR
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

RAM, SDR, SRAM

790mA

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

166MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

2

20 ns

3-STATE

36b

9 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

4.1mm

28mm

28mm

3.5mm

符合RoHS标准

含铅

70T659S15BC8
70T659S15BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

RAM, SRAM

305mA

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

709089S12PF8
709089S12PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

345mA

RAM, SDR, SRAM

2010

no

活跃

70°C

0°C

5V

33.3MHz

345mA

Parallel

64kB

2

12 ns

32b

512 kb

Synchronous

8b

5.5V

4.5V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅