品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

访问时间

组织结构

输出特性

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7130LA20TF
7130LA20TF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

200mA

RAM, SDR, SRAM

2005

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

20 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3389S6PRF
70V3389S6PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

310mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

83.3MHz

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

6 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V28L20PF8
70V28L20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

2008

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

128kB

2

20 ns

32b

1 Mb

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7130SA100P
7130SA100P
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

48

155mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

Discontinued

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

100 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

含铅

7143LA55G
7143LA55G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

71256S35DB
71256S35DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

CDIP

28

140mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Military grade

2011

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

32kB

1

35 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.02A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

5.08mm

37.2mm

15.24mm

1.65mm

符合RoHS标准

含铅

71V67603S150BGGI8
71V67603S150BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

YES

119

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

150MHz

30

325mA

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

1

3.8 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.07A

COMMON

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70V38L15PFG8
70V38L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

2

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.003A

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

709289L7PF
709289L7PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

465mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

45.45MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

7 ns

64KX16

3-STATE

32b

1 Mb

0.003A

COMMON

Synchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V05S55PF8
70V05S55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

180mA

RAM, SDR, SRAM

2006

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

55 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7026S35J8
7026S35J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

295mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

32kB

2

35 ns

14b

256 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7025S55PF8
7025S55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

16kB

2

55 ns

13b

128 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7054L20PRF
7054L20PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

250mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

FLAT

225

1

0.5mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

4

20 ns

3-STATE

12b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7038L20PFGI8
7038L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

18b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V321L35PFGI8
71V321L35PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

35 ns

22b

16 kb

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3556SA133BQGI
71V3556SA133BQGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

310mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

71V416S12PHGI8
71V416S12PHGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TSOP

44

180mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

18.41mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

7015L20PF
7015L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

240mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

20 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7008L35J8
7008L35J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

255mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

35 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7008L20J
7008L20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

285mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

20 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7016S20PF8
7016S20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

290mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

18kB

2

20 ns

16KX9

3-STATE

14b

144 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V26L35J
70V26L35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

120mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

35 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71421SA20PF8
71421SA20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

360.605934mg

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

110mA

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3389S5PRFI
70V3389S5PRFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

415mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

100MHz

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

5 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7025S15J
7025S15J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

310mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅