品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V3559S80PFGI8
71V3559S80PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

TQFP

YES

100

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

95MHz

0.26mA

8 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7015S12J8
7015S12J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

325mA

RAM, SDR, SRAM

2010

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

9kB

2

12 ns

26b

72 kb

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

709159L6PF
709159L6PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

430mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

52.6MHz

Parallel

9kB

2

6 ns

26b

72 kb

Synchronous

9b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71421SA25PF
71421SA25PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

360.605934mg

220mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

110mA

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T3599S166DR
70T3599S166DR
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

450mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

166MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

3.6 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

4.1mm

28mm

28mm

3.5mm

符合RoHS标准

含铅

7142LA55P
7142LA55P
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

48

110mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

Discontinued

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

55 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

含铅

70V08L25PF
70V08L25PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

170mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

64kB

2

25 ns

32b

512 kb

Asynchronous

8b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3399S166BF
70V3399S166BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

208

500mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

3.6 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7028L20PFI
7028L20PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

SDR

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

not_compliant

20

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

64KX16

3-STATE

32b

1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

Non-RoHS Compliant

含铅

7037L15PF8
7037L15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

0.34mA

3-STATE

15b

576 kb

0.003A

15 ns

COMMON

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V67603S166PFGI
71V67603S166PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

RAM, SDR, SRAM

166MHz

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

哑光锡

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

166MHz

340mA

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

1

3.5 ns

256KX36

18b

9 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

1.4mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7134LA35FB
7134LA35FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

48

250mA

RAM, SRAM

Bulk

2005

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2

35 ns

24b

32 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

2.2mm

符合RoHS标准

含铅

70V3569S4DR
70V3569S4DR
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

460mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

72kB

2

7.5 ns

16KX36

3-STATE

28b

576 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

28mm

28mm

3.5mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S166BG
71T75602S166BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

245mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

166MHz

245mA

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

3.5 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V9099L7PF8
70V9099L7PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

45.45MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

18 ns

3-STATE

34b

1 Mb

COMMON

Synchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9289L9PRF8
70V9289L9PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

230mA

83MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

40MHz

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

9 ns

64KX16

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Synchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9199L9PF8
70V9199L9PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

230mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

40MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

2

20 ns

3-STATE

17b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA133BQI8
71V3556SA133BQI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

310mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

70V9389L6PRF
70V9389L6PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

128

280mA

RAM, SRAM

Bulk

2009

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

52.6MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

64KX18

3-STATE

16b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

18b

3V

3.6V

3V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556S100PFGI
71V3556S100PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

255mA

RAM, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V321L25PFGI8
71V321L25PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

130mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V631S10BFG
70V631S10BFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

500mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

10 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

709099L9PFI
709099L9PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

430mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

40MHz

20

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

9 ns

3-STATE

34b

1 Mb

0.003A

COMMON

Synchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T3519S133BC
70T3519S133BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

370mA

RAM, SDR, SRAM

133MHz

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

4.2 ns

3-STATE

36b

9 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V35761S183BGI
71V35761S183BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

BGA

119

350mA

183MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

183MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.3 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅