National Semiconductor的内存模块_正品采购_价格信息

品牌是'National Semiconductor' (4)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	表面安装	终端数量																	JESD-609代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	HTS代码	端子位置	终端形式	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	操作模式	电源电流-最大值	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	待机电流-最大值	记忆密度	并行/串行	内存IC类型	编程电压	串行总线类型	耐力	写入保护	长度
DM87S181N	National Semiconductor Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	24	NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP	DIP, DIP24,.6	55 ns	1024 words	1000	70 °C	PLASTIC/EPOXY	DIP	DIP24,.6	RECTANGULAR	IN-LINE	5 V	无	Obsolete	e0	EAR99		锡铅	8542.32.00.71	DUAL	THROUGH-HOLE	1	2.54 mm	unknown	R-PDIP-T24	不合格	5.25 V	COMMERCIAL	4.75 V	ASYNCHRONOUS	0.17 mA	1KX8	3-STATE	5.334 mm	8		8192 bit	PARALLEL	OTP ROM					31.915 mm	15.24 mm
FM27LV512N150L	National Semiconductor Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
DM54S387J	National Semiconductor Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	16	Obsolete	NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP	DIP, DIP16,.3	60 ns	256 words	256	125 °C	-55 °C	CERAMIC, GLASS-SEALED	DIP	DIP16,.3	RECTANGULAR	IN-LINE	5 V	无	e0	EAR99		锡铅	8542.32.00.71	DUAL	THROUGH-HOLE	1	2.54 mm	unknown	R-GDIP-T16	不合格	5.5 V	MILITARY	4.5 V	ASYNCHRONOUS	0.13 mA	256X4	OPEN-COLLECTOR	5.08 mm	4		1024 bit	PARALLEL	OTP ROM					19.43 mm	7.62 mm
NM29A080V	National Semiconductor Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	32	NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP	PLASTIC, LCC-32	4 MHz	8388608 words	8000000	70 °C	PLASTIC/EPOXY	QCCJ	LDCC32,.5X.6	SQUARE	CHIP CARRIER	5 V	无	Obsolete	e0	EAR99	NOR型号	锡铅	8542.32.00.51	QUAD	J BEND	1	1.27 mm	unknown	S-PQCC-J32	不合格	5.5 V	COMMERCIAL	4.5 V	SYNCHRONOUS	0.02 mA	8MX1	3-STATE	3.55 mm	1	0.00005 A	8388608 bit	SERIAL	FLASH	5 V	MICROWIRE	100000 Write/Erase Cycles	SOFTWARE	13.97 mm	11.43 mm