KI5116详情
ABB KI5116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
Package
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)
72W (Tc)
Product Status
Obsolete
RoHS
Non-Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
QFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
510 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
200 V
Vgs(最大值)
±30V
场效应管特性
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KI5116拓展信息








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