ABLIC HB414IV01E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1563

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Operating Temperature-Min

-20 °C

Operating Temperature-Max

60 °C

Manufacturer Part Number

HB414IV01E

Approvals

UL

Manufacturer

ABLIC Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SEIKO INSTRUMENTS USA INC

Risk Rank

5.84

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

技术

SRAM - Synchronous, QDR II+

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

Reach合规守则

unknown

电压

3 V

内存大小

72Mbit

时钟频率

600 MHz

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

端子类型

BUTTON(+), FLAT(-)

电池化学

LITHIUM

电容量

0.3 Ah

标准充电电流

5 mA

标准充电时间

5 s

电池类型

SECONDARY

组织的记忆

4M x 18

高度

1.4 mm

直径

4.8 mm