AP02N60I-A-HF
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Advanced Power Electronics AP02N60I-A-HF

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型号

AP02N60I-A-HF

utmel 编号

54-AP02N60I-A-HF

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

起订量

1最小包装量--

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AP02N60I-A-HF
AP02N60I-A-HF Advanced Power Electronics FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

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AP02N60I-A-HF详情

Advanced Power Electronics AP02N60I-A-HF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Number of Elements

    1

  • Drain Current-Max (ID)

    2 A

  • Risk Rank

    5.65

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    AP02N60I-A-HF

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    8 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    3.6 A

  • DS 击穿电压-最小值

    650 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    80 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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