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Advanced Power Electronics AP9926GM

Name: AP9926GM
Brand: Advanced Power Electronics
SKU: 54-AP9926GM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AP9926GM

品牌

Advanced Power Electronics

utmel 编号

54-AP9926GM

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Power

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AP9926GM Advanced Power Electronics TRANSISTOR 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Power

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AP9926GM详情

技术参数

Advanced Power Electronics AP9926GM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

AP9926GM
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Advanced Power Electronics Corp
Number of Elements

2
Part Life Cycle Code

接触制造商
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Risk Rank

5.63
Part Package Code

SOT
附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE
HTS代码

8541.29.00.75
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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