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Advanced Power Electronics Corp AP18T10GJ

Name: AP18T10GJ
Brand: Advanced Power Electronics Corp
SKU: 54-AP18T10GJ
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AP18T10GJ

品牌

Advanced Power Electronics Corp

utmel 编号

54-AP18T10GJ

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 9 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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AP18T10GJ Advanced Power Electronics Corp Description: TRANSISTOR 9 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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AP18T10GJ详情

技术参数

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Advanced Power Electronics Corp AP18T10GJ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Style

IN-LINE
Package Shape

RECTANGULAR
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Number of Elements

1
Drain Current-Max (ID)

9 A
Package Description

ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Part Package Code

TO-251
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code

Obsolete
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSIP-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-251
漏极-源极导通最大电阻

0.16 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30 A
DS 击穿电压-最小值

100 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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