'ap6679gh'
3结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | Drain Source Voltage (Vdss) | ECCN 代码 | 类型 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | Continuous Drain Current (Id) | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AP6679GH | Advanced Power Electronics Corp | 数据表 | 446 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 2 | SILICON | TO-252 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 75 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 接触制造商 | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | compliant | 4 | R-PSSO-G2 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | TO-252 | 0.009 Ω | 300 A | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | ||||||||||
![]() | AP6679GH | APEM Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 2 | SILICON | 接触制造商 | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP | TO-252 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 5.11 | 75 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | AP6679GH | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | compliant | 4 | R-PSSO-G2 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | TO-252 | 0.009 Ω | 300 A | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | ||||||||
AP6679GH-VB | VBsemi Elec | 数据表 | 51 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 9mΩ@10V,80A | 30V | true | Tape & Reel (TR) | 1 Piece P-Channel | 80A |




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