ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP9965GEM

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.028Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

DS 击穿电压-最小值

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR