ADVANCED POWER TECHNOLOGY AP09N70R-A-HF
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AP09N70R-A-HF
54-AP09N70R-A-HF
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0805 (2012 Metric)
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IN-LINE, R-PSIP-T3
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AP09N70R-A-HF详情
ADVANCED POWER TECHNOLOGY AP09N70R-A-HF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
表面安装
NO
供应商器件包装
0805
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
AP09N70R-A-HF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Advanced Power Electronics Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.66
Part Package Code
TO-262AA
Drain Current-Max (ID)
9 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73G
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±0.5%
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
14.7 Ohms
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
漏极-源极导通最大电阻
0.75 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
650 V
雪崩能量等级(Eas)
305 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding
座位高度(最大)
0.024 (0.60mm)
评级结果
-
AP09N70R-A-HF拓展信息







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