ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT1002RAN

包装/外壳

Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

APT1002RAN

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Advanced Power Technology

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.72

Drain Current-Max (ID)

6 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±0.5%

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±25ppm/°C

电阻

353 kOhms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

失败率

S (0.001%)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

198 W

环境耗散-最大值

198 W

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

座位高度(最大)

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