ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT10GT60KR
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APT10GT60KR
54-APT10GT60KR
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IGBT Transistor, N-CHAN, TO-220AB
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APT10GT60KR详情
ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT10GT60KR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
108703100BPF
Manufacturer
Stearns
Mounting
端部安装
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
12 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
82 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.92
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
超快速切换
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
通用开关
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大耗散功率(Abs)
100 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5 V
工作电压
115 VAC;230 VAC
知识产权评级
IP23
APT10GT60KR拓展信息







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