APT25GP90BDF1
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Advanced Power Technology APT25GP90BDF1

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型号

APT25GP90BDF1

utmel 编号

54-APT25GP90BDF1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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APT25GP90BDF1 Advanced Power Technology Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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APT25GP90BDF1详情

Advanced Power Technology APT25GP90BDF1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    190 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    29 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247AD

  • 集电极电流-最大值(IC)

    72 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    900 V

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APT25GP90BDF1拓展信息

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