ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT5560BN

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

APT5560BN

Turn-on Time-Max (ton)

60 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Advanced Power Technology

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Turn-off Time-Max (toff)

118 ns

Risk Rank

5.92

Drain Current-Max (ID)

13 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

尺寸/尺寸

0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)

JESD-609代码

e0

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

2.8V

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

38 MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

JESD-30代码

R-PSFM-T3

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

70µA

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

扩频带宽

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13 A

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A

DS 击穿电压-最小值

550 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

240 W

绝对牵引范围 (APR)

-

反馈上限-最大值 (Crss)

157 pF

环境耗散-最大值

240 W

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-