ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC APT10M25SNR

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

360W

反馈上限-最大值 (Crss)

1050 pF

关断时间-最大值（toff)

270ns

接通时间-最大值(ton)

160ns

环境耗散-最大值

360W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant