ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC APT5030AVR

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

附加功能

雪崩 额定

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AE

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

58.8A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

960 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准