ATF-10736-STR
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Agilent Technologies Inc ATF-10736-STR

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型号

ATF-10736-STR

utmel 编号

2897-ATF-10736-STR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

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大陆

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ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, CERAMIC, 36, MICRO-X-4

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ATF-10736-STR Agilent Technologies Inc RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, CERAMIC, 36, MICRO-X-4

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ATF-10736-STR详情

Agilent Technologies Inc ATF-10736-STR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    砷化镓

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    AGILENT TECHNOLOGIES INC

  • Package Description

    MICROWAVE, X-CXMW-F4

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Shape

    UNSPECIFIED

  • Package Style

    MICROWAVE

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 端子位置

    UNSPECIFIED

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    X-CXMW-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    5 V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.43 W

  • 最高频段

    X 频带

  • 功率增益-最小值(Gp)

    12 dB

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ATF-10736-STR拓展信息

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