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Allegro MicroSystems MGD623N
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MGD623N
97-MGD623N
晶体管 - IGBT - 单个
--
大陆
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MGD623N datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Allegro MicroSystems stock available at utmel
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MGD623N详情
Allegro MicroSystems MGD623N重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
EU RoHS
符合免除
ECCN (US)
EAR99
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
600
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1.8
Maximum Continuous Collector Current (A)
50
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.5
Maximum Power Dissipation (mW)
150000
Maximum Operating Temperature (°C)
150
零件状态
活跃
配置
Single
信道型
N
MGD623N拓展信息
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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