Alliance Memory, Inc. AS1C2M16P-70BIN
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AS1C2M16P-70BIN
101-AS1C2M16P-70BIN
存储器
48-VFBGA
大陆
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32M PSRAM 48 BGA 3V
--最小包装量--
AS1C2M16P-70BIN详情
Alliance Memory, Inc. AS1C2M16P-70BIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
48-VFBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
2.6V~3.3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
JESD-30代码
R-PBGA-B48
电源电压-最大值(Vsup)
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.6V
内存大小
32Mb 2M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
PSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
33554432 bit
访问时间(最大)
70 ns
长度
7mm
宽度
6mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS1C2M16P-70BIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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