Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D1-6TINTR
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AS4C128M8D1-6TINTR
101-AS4C128M8D1-6TINTR
存储器
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
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IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
1最小包装量--
AS4C128M8D1-6TINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D1-6TINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
2.3V~2.7V
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
内存大小
1Gb 128M x 8
时钟频率
166MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C128M8D1-6TINTR拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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