Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5TIN
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AS4C16M16D1-5TIN
101-AS4C16M16D1-5TIN
存储器
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
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DRAM 256Mb, 3.3V, 200Mhz 16M x 16 DDR
1最小包装量--
AS4C16M16D1-5TIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5TIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
66
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2013
JESD-609代码
e3/e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
66
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
数据率
400 Mbps
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
256 Mb
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
高度
1.1mm
长度
22.35mm
宽度
10.29mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
AS4C16M16D1-5TIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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