Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MD1-6BINTR
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AS4C16M16MD1-6BINTR
101-AS4C16M16MD1-6BINTR
存储器
60-TFBGA
大陆
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA
1最小包装量--
AS4C16M16MD1-6BINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MD1-6BINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.7V~1.95V
内存大小
256Mb 16M x 16
时钟频率
166MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
AS4C16M16MD1-6BINTR拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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