Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5TIN
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AS4C2M32D1-5TIN
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存储器
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IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
1最小包装量--
AS4C2M32D1-5TIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5TIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
66-TSOP II
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
2.3V~2.7V
频率
200MHz
界面
Parallel
内存大小
64Mb 2M x 32
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C2M32D1-5TIN拓展信息
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