Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1A-5BINTR
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AS4C32M32MD1A-5BINTR
101-AS4C32M32MD1A-5BINTR
存储器
90-VFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
1最小包装量--
AS4C32M32MD1A-5BINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1A-5BINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
90-VFBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~85°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B90
内存大小
1Gb 32M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32MX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
1073741824 bit
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
宽度
8mm
座位高度(最大)
1mm
长度
13mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C32M32MD1A-5BINTR拓展信息
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