Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BINTR
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AS4C4M16S-6BINTR
101-AS4C4M16S-6BINTR
存储器
54-TFBGA
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
1最小包装量--
AS4C4M16S-6BINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
引脚数
54
供应商器件包装
54-TFBGA (8x8)
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
3V~3.6V
频率
166MHz
工作电源电压
3.3V
界面
Parallel
内存大小
64Mb 4M x 16
时钟频率
166MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
2ns
地址总线宽度
12b
密度
64 Mb
最高频率
166MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
AS4C4M16S-6BINTR拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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