Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BIN
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AS4C512M8D3A-12BIN
101-AS4C512M8D3A-12BIN
存储器
78-VFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
1最小包装量--
AS4C512M8D3A-12BIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
电压 - 供电
1.425V~1.575V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.5V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B78
电源电压-最大值(Vsup)
1.575V
电源电压-最小值(Vsup)
1.425V
内存大小
4Gb 512M x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
4294967296 bit
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
9mm
RoHS状态
符合RoHS标准
AS4C512M8D3A-12BIN拓展信息
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