Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BINTR
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AS4C64M16D2-25BINTR
101-AS4C64M16D2-25BINTR
存储器
84-TFBGA
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DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2
1最小包装量--
AS4C64M16D2-25BINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
84
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
1.8V
内存大小
1Gb 64M x 16
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
1 Gb
待机电流-最大值
0.01A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
AS4C64M16D2-25BINTR拓展信息
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