Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3-12BIN
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AS4C64M8D3-12BIN
101-AS4C64M8D3-12BIN
存储器
78-VFBGA
大陆
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IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
--最小包装量--
AS4C64M8D3-12BIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3-12BIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TA
包装
Tray
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.425V~1.575V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.5V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B78
电源电压-最大值(Vsup)
1.575V
电源电压-最小值(Vsup)
1.425V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C64M8D3-12BIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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