Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BINTR
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AS4C8M16S-6BINTR
101-AS4C8M16S-6BINTR
存储器
54-TFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
1最小包装量--
AS4C8M16S-6BINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
内存大小
128Mb 8M x 16
时钟频率
166MHz
访问时间
5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
2ns
地址总线宽度
12b
密度
128 Mb
待机电流-最大值
0.002A
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
RoHS状态
符合RoHS标准
AS4C8M16S-6BINTR拓展信息
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