Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BINTR
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AS4C8M16SA-6BINTR
101-AS4C8M16SA-6BINTR
存储器
54-TFBGA
大陆
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
--最小包装量--
AS4C8M16SA-6BINTR详情
Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BINTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
3V~3.6V
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
内存大小
128Mb 8M x 16
时钟频率
166MHz
访问时间
5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
AS4C8M16SA-6BINTR拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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