ALLIANCE SEMICONDUCTOR ASM809JEUR-T
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ASM809JEUR-T
102-ASM809JEUR-T
无类别的
119-BGA
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1最小包装量--
ASM809JEUR-T详情
ALLIANCE SEMICONDUCTOR ASM809JEUR-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
119-BGA
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
119-PBGA (14x22)
终端数量
3
Memory Types
Volatile
Package Description
PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
105 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
ASM809JEUR-T
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Pulsecore Semiconductor
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
PULSECORE SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.37
包装
Tape & Reel (TR)
系列
--
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
端子表面处理
锡铅
附加功能
RESET THRESHOLD VOLTAGE IS 4V
技术
SRAM - Synchronous ZBT
电压 - 供电
3.135 V ~ 3.465 V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.95 mm
Reach合规守则
unknown
基本部件号
IDT71V65703
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.2 V
通道数量
1
内存大小
9Mb (256K x 36)
模拟 IC - 其他类型
电源支持电路
可调阈值
NO
访问时间
8.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
座位高度-最大
1.17 mm
写入周期时间 - 字符、页面
--
宽度
1.3 mm
长度
2.92 mm
ASM809JEUR-T拓展信息







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