Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5803E
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AO5803E
110-AO5803E
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
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MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
1最小包装量--
AO5803E详情
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5803E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
400mW
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
800m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
100pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
600mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.6A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
AO5803E拓展信息
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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