Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4S60

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

56.8W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

aMOS™

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

56.8W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

263pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.9Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

77 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant