Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802BL
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AON5802BL
110-AON5802BL
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VFDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN
--最小包装量--
AON5802BL详情
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VFDFN Exposed Pad
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.2A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
1.6W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1150pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.2A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.6W
场效应管特性
Standard
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
AON5802BL拓展信息
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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