Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6912A

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A 13.8A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

2.1W

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.9W 2.1W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.7m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

910pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

13.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant