Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6946

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A 18A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

最大功率耗散

3.9W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

3.5W 3.9W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.6m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

485pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

18A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16A

漏极-源极导通最大电阻

0.0116Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

9 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant