Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21357

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta 34A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

5W Ta 30W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.8m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2830pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

70nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

34A

漏极-源极导通最大电阻

0.0078Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

136A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

76 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant