Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT210L

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

1.9W Ta 176W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 105A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

已出版

2010

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

176W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.9m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4300pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

105A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

RoHS状态

符合RoHS标准