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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.638461
10
¥2.489117
100
¥2.34822
500
¥2.215305
1000
¥2.089909
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOU2N60
- 收藏
- 对比
AOU2N60
110-AOU2N60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 600V 2A TO251
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AOU2N60详情
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOU2N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
56.8W Tc
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
56.8W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.4 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
325pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8A
DS 击穿电压-最小值
600V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AOU2N60拓展信息
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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