KU3600N10W详情
Altech KU3600N10W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
KU3600N10W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
KEC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
KEC CORP
Risk Rank
5.65
Drain Current-Max (ID)
1.7 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6.4 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
12.4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
KU3600N10W拓展信息








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