AMD AM27C512-120PC

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 1 day ago)

底架

表面贴装

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

28

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

RoHS

Compliant

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP28,.6

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

AM27C512-120PC

Number of Words

65536 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Style

IN-LINE

Package Description

DIP, DIP28,.6

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

AMD

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED MICRO DEVICES INC

Risk Rank

8.76

Part Package Code

DIP

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8542.32.00.71

子类别

OTP ROM

最大功率耗散

250 mW

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

不合格

极性

NPN

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

元素配置

Single

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.025 mA

组织结构

64KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.715 mm

内存宽度

8

增益带宽积

160 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

500 mA

待机电流-最大值

0.0001 A

记忆密度

524288 bit

转换频率

160 MHz

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

OTP ROM

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

15.24 mm

长度

37.084 mm

辐射硬化

无