AM29F400BB-90EE详情
AMD AM29F400BB-90EE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
10-SIP
表面安装
YES
供应商器件包装
10-SIP
终端数量
48
Current-Collector (Ic) (Max)
6A
Package Description
MO-142BDD, TSOP-48
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
90 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
AM29F400BB-90EE
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.69
系列
--
包装
Bulk
操作温度
150°C (TJ)
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
ECCN 代码
3A001.A.2.C
类型
NOR型号
端子表面处理
锡铅
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G48
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
功率 - 最大
4W
组织结构
256KX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
晶体管类型
4 NPN Darlington (Quad)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
最大集极截止电流
100µA (ICBO)
记忆密度
4194304 bit
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 10mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
并行/串行
PARALLEL
频率转换
--
内存IC类型
FLASH
编程电压
5 V
备用内存宽度
8
引导模块
BOTTOM
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
AM29F400BB-90EE拓展信息








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