AMD AM29LV040B-120EE

触点镀层

50 microinches Gold Plate

安装类型

Wall - Front Mount - Thru Holes

表面安装

YES

外壳材料

Composite

插入材料

Hard Dielectric

终端数量

32

Contact Sizes

16#16

Service Rating

II

Insert Arrangement

G16

Contact Materials

Copper Alloy

Package Description

MO-142BD, TSOP-32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Equivalence Code

TSSOP32,.8,20

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

AM29LV040B-120EE

Part Package Code

TSOP1

Risk Rank

5.35

Ihs Manufacturer

SPANSION INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Spansion

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TSOP1

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Number of Words

524288 words

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

类型

NOR型号

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

闪存

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

屏蔽/屏蔽

有

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

32

JESD-30代码

R-XDSO-G32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3/3.3 V

触点样式

Socket

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

密封

Meets IP67

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.03 mA

组织结构

512KX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.000005 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

3 V

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

外壳电镀

化学镍

数据轮询

YES

拨动位

YES

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

8

行业规模

64K

宽度

8 mm

长度

18.4 mm