AMD AM9111B/BVA

表面安装

NO

终端数量

18

RoHS

Compliant

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

256

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

400 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

AM9111B/BVA

Number of Words

256 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

AMD

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED MICRO DEVICES INC

Risk Rank

5.88

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

容差

1 %

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

终止次数

2

ECCN 代码

3A001.A.2.C

温度系数

100 ppm/°C

电阻

16.2 Ω

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

厚膜

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

最大功率耗散

250 mW

技术

MOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

18

JESD-30代码

R-GDIP-T18

资历状况

不合格

箱码（公制）

1610

箱码（英制）

0604

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

组织结构

256X4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

4

记忆密度

1024 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

输出启用

NO

特征

Automotive AEC-Q200

宽度

1.6002 mm

高度

355.6 µm

长度

990.6 µm