AM9112BDM-B详情
AMD AM9112BDM-B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
材料
400 series stainless steel
终端数量
16
Package Description
DIP, DIP16,.3
Package Style
IN-LINE
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
AMD
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
DIP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
256 words
Manufacturer Part Number
AM9112BDMB
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
125 °C
Access Time-Max
400 ns
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Equivalence Code
DIP16,.3
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Number of Words Code
256
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
类型
Blind Threaded Inserts - MaxTite®
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDIP-T16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
256X4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
记忆密度
1024 bit
筛选水平
MIL-STD-883 Class B (Modified)
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
AM9112BDM-B拓展信息








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