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American Power Devices Inc APM2101SGC-TRL

Name: APM2101SGC-TRL
Brand: American Power Devices Inc
SKU: 1932-APM2101SGC-TRL
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APM2101SGC-TRL

品牌

American Power Devices Inc

utmel 编号

1932-APM2101SGC-TRL

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, JSC70-8

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APM2101SGC-TRL American Power Devices Inc Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, JSC70-8

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APM2101SGC-TRL详情

技术参数

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American Power Devices Inc APM2101SGC-TRL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Drain Current-Max (ID)

3.5 A
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
Ihs Manufacturer

ANPEC ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code

Obsolete
Rohs Code

有
JESD-609代码

e3
无铅代码

有
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

哑光锡
端子位置

DUAL
终端形式

C 弯管
Reach合规守则

compliant
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-C8
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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APM2101SGC-TRL拓展信息

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