AMI Semiconductor H11A817A3S
- 收藏
- 对比
H11A817A3S
137-H11A817A3S
光隔离器 - 晶体管,光电输出
Axial
大陆
立即发货

H11A817A3S datasheet pdf and Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
H11A817A3S详情
AMI Semiconductor H11A817A3S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
Axial
Package
Bulk
Base Product Number
RNC55
厂商
Vishay Dale
Product Status
活跃
Current Transfer Ratio-Min
80% @ 5mA
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
包装
Tube
尺寸/尺寸
0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
容差
±1%
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
62.6 kOhms
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.125W, 1/8W
电压-隔离度
5300Vrms
输出类型
Transistor
失败率
S (0.001%)
通道数量
1
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.2V
输入类型
DC
上升/下降时间(Typ)
2.4µs, 2.4µs
输出/通道电流
50mA
电压 - 输出(最大值)
70V
最大直流驱动电流(If)
50mA
电流传输比(最大)
160% @ 5mA
接通 / 关断时间(典型值)
-
Vce 饱和度(最大值)
200mV
特征
Military, Moisture Resistant, Weldable
座位高度(最大)
-
H11A817A3S拓展信息







哦! 它是空的。