AMI Semiconductor MJD2955G
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MJD2955G
137-MJD2955G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MJD2955G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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MJD2955G详情
AMI Semiconductor MJD2955G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
DPAK
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
10A
Other Names
MJD2955G-ND MJD2955GOS
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
MJD2955
功率 - 最大
1.75W
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
最大集极截止电流
50µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
8V @ 3.3A, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
2MHz
MJD2955G拓展信息
AMI Semiconductor
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