MJD2955G
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AMI Semiconductor MJD2955G

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型号

MJD2955G

utmel 编号

137-MJD2955G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

MJD2955G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel

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MJD2955G详情

AMI Semiconductor MJD2955G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    DPAK

  • Lead Free Status / RoHS Status

    Lead free / RoHS Compliant

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    10A

  • Other Names

    MJD2955G-ND MJD2955GOS

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 包装

    Tube

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 基本部件号

    MJD2955

  • 功率 - 最大

    1.75W

  • 晶体管类型

    PNP

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    20 @ 4A, 4V

  • 最大集极截止电流

    50µA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    8V @ 3.3A, 10A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    60V

  • 频率转换

    2MHz

0个相似型号

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